https://moda1560.loxblog.com

منابع ولتاژ واقعی - باتری ها چگونه کار می کنند

Fri, 26 Jun 2026 02:07:15 +0330

منابع ولتاژ واقعی باتری ها چگونه کار می کنند؟ بنده در حال جمع آوری و ترجمه مقالات مختلف اینترنتی درباره منابع ولتاژ واقعی هستم. شما می توانید این مقالات را در ادامه مطالعه کنید. References Science Bob: CLEAN PENNIES WITH VINEGAR Exploratorium: COPPER CAPER The Naked Scientists: LEMON-POWERED IPOD - FRUIT BATTERIES Electronics Tutorials: VOLTAGE SOURCES Wikipedia: BATTERY Learning About Electronics: IDEAL VOLTAGE SOURCE EXPLAINED Electrical4u: VOLTAGE SOURCE Wiki Analog: REAL VOLTAGE SOURCES Stack exchange: WHAT CAUSES THE VOLTAGE DROP IN A REALISTIC VOLTAGE SOURCE WHEN THE LOAD CURRENT INCREASES? Math And Science Activity Center: HOW DOES A BATTERY WORK? Power System: HOW DO BATTERIES WORK? Explain That Stuff: BATTERIES Ask An Engineer: HOW DOES A BATTERY WORK? Hyperphysics Circuit Fantasia Quora.com

ترانزیستور چگونه کار می کند

Fri, 26 Jun 2026 02:07:15 +0330

ترانزیستور چگونه کار می کند؟ دو مقاله متفاوت با دو نگاه متفاوت در ادامه دو مقاله آنلاین درباره چگونه کارکرد ترانزیستور مشاهده خواهید کرد. این مقالات به زودی ترجمه خواهند شد. موفق باشید 1. What is the difference between a transistor and a resistor? Source: quora.com Here is an explanation about the Resistor to Transistor Transition. Let us start from a simple circuit. In General, Voltage source is not shown in Circuit diagrams. So let us remove the Voltage source from the circuit diagram. Also Voltage and Resistance are given, we need to calculate Current. Now let us split the single Resistor in to two Resistors and connect the Resistors(R1 & R2) in Series. Since two resistors are connected across a single voltage source, the voltage is divided across the resistors. These voltages are V1 and V2. Now let us find the output voltage Vo. Now let us make R2 as Zero ohm. i.e. No resistance, we are going to short circuit the R2. Now the output Vo is 0V, because the output is shorted with Ground. There is no Potential Difference. Now let us make R2 as Infinity Ohm. i.e. Remove R2 and make Open circuit. Since circuit is open no current flow. Hence I = 0A. So V2 = I * R2. V2 = 0 * ∞ = Indeterminate. That means anything. So you can not predict. Then how will you calculate Vo? We may not able to find out V2 but we can find out V1. So Vo = V - V1. V1 = I * R1 = 0V. So, V0 = V Now let us replace R2 with a variable resistor. If the R2 varies between 0 ohm to ∞ Ohm, then V0 will vary between 0 to V. So V0 can never be less than 0 and More than V. When we vary the resistance R2, the current I also varies. Let us assume we can not measure R2 but we can measure I then Vo = V - I * R1. R2 is not used in the calculation. Now let us rename the Current I as Iy. Now let us control the variable resistor using Ix. The relation between Ix and Iy is Iy = B * Ix Now we generate Ix using Vx and Rx. Ix = Vx/Rx Now let us introduce a battery in between Rx and Ground. So the voltage across resistor Rx is Vx -Ve. So, Ix = (Vx - Ve)/Rx. Now let us rename the parts. Vx ⇒ Vb Rx ⇒ Rb Ix ⇒ Ib Ve ⇒ Vbe Iy ⇒ Ic R1 ⇒ Rc V1 ⇒ Vc V ⇒ Vcc B ⇒ β Now we change the variable resistor block as Transistor. This Transistor acts as a Regulator (Variable Resistor) or a switch (ON/OFF): The Transistor has 3 operating modes. Cut-off (Switch - OFF) Saturation (Switch - ON) Active (Regulator) 1. Cut-off Mode Vb < Vbe (Generally 0.7V) So Ib = 0A Ic = 0A Vc = Ic x Rc = 0V Vo = Vcc - Vc = Vcc 2. Saturation Mode Ic > Ic.max Ic.max = Vcc/Rc Ic = β Ib Ic = Ic.max Vc = Ic x Rc = Vcc Vo = Vcc - Vc = 0V 3. Active Mode 0 < Ic < Ic.max Ib = (Vb - Vbe)/Rb Ic = β x Ib Vc = Ic x Rc Vo = Vcc - Vc 0V < Vo < Vcc When a Transistor acts as a Regulator, it is called an Amplifier. When a Transistor acts as a Switch, it is called a Gate. Transistor in Active Mode - Analog Electronics Transistor in Cutoff/Saturation Mode - Digital Electronics 2. Transistors, Extending the Water Analogy. Source: Learn [at] SparkFun If you’ve been reading a lot of electricity concept tutorials lately, you’re probably used to water analogies. We say that current is analogous to the flow rate of water, voltage is the pressure pushing that water through a pipe, and resistance is the width of the pipe. Unsurprisingly, the water analogy can be extended to transistors as well: a transistor is like a water valve – a mechanism we can use to control the flow rate. There are three states we can use a valve in, each of which has a different effect on the flow rate in a system. 1) On – Short Circuit A valve can be completely opened, allowing water to flow freely – passing through as if the valve wasn’t even present. Likewise, under the right circumstances, a transistor can look like a short circuit between the collector and emitter pins. Current is free to flow through the collector, and out the emitter. 2) Off – Open Circuit When it’s closed, a valve can completely stop the flow of water. In the same way, a transistor can be used to create an open circuit between the collector and emitter pins. 3) Linear Flow Control With some precise tuning, a valve can be adjusted to finely control the flow rate to some point between fully open and closed. A transistor can do the same thing – linearly controlling the current through a circuit at some point between fully off (an open circuit) and fully on (a short circuit). From our water analogy, the width of a pipe is similar to the resistance in a circuit. If a valve can finely adjust the width of a pipe, then a transistor can finely adjust the resistance between collector and emitter. So, in a way, a transistor is like a variable, adjustable resistor. Amplifying Power: There’s another analogy we can wrench into this. Imagine if, with the slight turn of a valve, you could control the flow rate of the Hoover Dam’s flow gates. The measly amount of force you might put into twisting that knob has the potential to create a force thousands of times stronger. We’re stretching the analogy to its limits, but this idea carries over to transistors too. Transistors are special because they can amplify electrical signals, turning a low-power signal into a similar signal of much higher power.

آشنایی با نیمه هادی ها

Fri, 26 Jun 2026 02:07:15 +0330

آشنایی با نیمه هادی ها ساخت نیمه هادی های N و P منبع: iseee.ir اتم های عناصر مختلف دارای الکترونهایی هستند که در مدارهای مختلفی به دور هسته گردش می کنند . الکترونهایی که در مدارهای نزدیک به هسته گردش می کنند انرژی کمتری دارند اما از طرف هسته ، نیروی جاذبه بیشتری بر آنها وارد می شود و در نتیجه نمی توان به آسانی این الکترونها را از اتم جدا کرد . در هر اتم ، آخرین مدار را لایه ظرفیت یا لایه والانس می گویند و الکترونهای این لایه را الکترونهای ظرفیت یا والانس می نامند . الکترونهای والانس انرژی بیشتری نسبت به بقیه الکترونها دارند اما وابستگی آنها به هسته کمتر از بقیه الکترونها می باشد . در شکل (1) ساختمان اتمی اتم مس نمایش داده شده است . همانطور که در این شکل مشاهده می کنید اتم مس فقط یک الکترون والانس دارد . شکل (1) اجسام موجود در طبیعت بر اساس تعداد الکترونهای والانس اتم های تشکیل دهنده آنها به سه دسته اجسام هادی ، اجسام عایق و اجسام نیمه هادی تقسیم می شوند که در ادامه به بررسی آنها می پردازیم . اجسام هادی : اتم های تشکیل دهنده این اجسام کمتر از چهار الکترون والانس دارند و این الکترونها به راحتی از قید هسته آزاد می شوند . اجسام هادی الکترونهای آزاد زیادی دارند و این الکترونهای آزاد سبب عبور جریان برق می شوند . به این اجسام رسانا هم می گویند . فلزات یک تا سه ظرفیتی هادی های خوبی هستند و بهترین هادی ها عبارتند از : نقره ، مس و طلا . اجسام عایق : اتم های تشکیل دهنده این اجسام معمولاً دارای پنج تا هشت الکترون والانس هستند . به علت اینکه انرژی داده شده به اتم های اجسام عایق میان تعداد زیادی الکترون والانس تقسیم می شود انرژی دریافت شده توسط هر الکترون بسیار ناچیز است و بنابراین این الکترونها به سختی از اتم جدا می شوند و همین امر سبب می شود که اجسام عایق در وضعیت معمولی دارای الکترونهای آزاد بسیار کمی بوده و جریان برق را از خود عبور ندهند . اجسام نیمه هادی : اتم های تشکیل دهنده اجسام نیمه هادی معمولاً دارای چهار الکترون والانس می باشند . اجسام نیمه هادی در دمای صفر مطلق ( 273– درجه سانتیگراد ) تقریباً عایق هستند . در دمای اتاق ( 25 درجه سانتیگراد ) ، انرژی حرارتی محیط باعث آزاد شدن تعدادی از الکترونهای والانس می شود و هدایت الکتریکی در جسم بالا می رود . در دمای اتاق ، هدایت الکتریکی نیمه هادی ها بهتر از عایق ها و بدتر از هادی ها می باشد . نیمه هادی های پرکاربرد عبارتند از کربن ، سیلیسیم ( سیلیکن ) ، ژرمانیوم ، توریم ، زیرکونیوم و هافنیوم که از بین آنها سیلیسیم و ژرمانیوم در برق و الکترونیک کاربرد فراوان دارند . در ادامه به بررسی نیمه هادی های سیلیسیم و ژرمانیوم می پردازیم . سیلیسیم دارای عدد اتمی 14است . یعنی دارای 14 پروتون و 14 الکترون است . ژرمانیوم دارای عدد اتمی 32 است . یعنی 32 پروتون و 32 الکترون دارد . در شکل (2) ساختمان اتمی سیلیسیم و در شکل (3) ساختمان اتمی ژرمانیوم نمایش داده شده است . همانطور که در این شکل ها مشاهده می کنید هر یک از اتم های سیلیسیم و ژرمانیوم دارای چهار الکترون والانس هستند . شکل (2) شکل (3) به علت اینکه سیلیسیم و ژرمانیوم در مدار آخر خود چهار الکترون دارند ، تمایل دارند که مدار آخر خود را کامل کرده و به حالت پایدار برسند . برای این منظور هر اتم با هر یک از چهار اتم مجاور خود یک الکترون به اشتراک می گذارد . این نوع پیوند بین اتم ها را پیوند اشتراکی یا کووالانسی می گویند . در شکل (4) پیوندهای کووالانسی بین اتم های سیلیسیم نمایش داده شده است . شکل (4) در یک بلور سیلیسیم یا ژرمانیوم ، در دمای صفر مطلق به علت اینکه تمامی پیوندهای کووالانسی بین اتم ها برقرار است و هیچ الکترون آزادی وجود ندارد بلور سیلیسیم یا ژرمانیوم یک عایق کامل می باشد . اما با افزایش دما جنبش الکترونهای والانس افزایش یافته و بعضی از پیوندهای کووالانسی بین اتم ها شکسته شده و الکترونهایی آزاد می شوند و به این ترتیب هدایت الکتریکی در کریستال های سیلیسیم و ژرمانیوم افزایش می یابد . هر چه دما بیشتر افزایش یابد پیوندهای کووالانسی بیشتری شکسته شده و تعداد الکترونهای آزاد بیشتر می شود و در نتیجه هدایت الکتریکی کریستال افزایش می یابد . به ازای جدا شدن هر الکترون از یک اتم ، یک جای خالی الکترون در آن اتم ایجاد می شود که به آن حفره می گویند . در شکل (5) نحوه ایجاد یک حفره نمایش داده شده است . شکل (5) الکترونهای آزاد شده در کریستال به صورت نامنظم حرکت می کنند . اگر به صورت اتفاقی الکترونی به حفره ای نزدیک شود جذب حفره می گردد . بنابراین تا زمانی که نیرویی از خارج بر کریستال اعمال نشود آزاد شدن الکترونها و جذب آنها به وسیله حفره ها به طور نامنظم ادامه می یابد . اما زمانی که ولتاژی به دو سر کریستال اعمال می شود ، الکترونهای آزاد به طرف قطب مثبت باتری حرکت می کنند و جریانی در کریستال اعمال می شود که ناشی از حرکت الکترونهاست و به آن جریان الکترونها می گویند . جریان دیگری نیز در کریستال وجود دارد که ناشی از حرکت حفره هاست . اگر در اتمی حفره ای وجود داشته باشد این حفره از اتم مجاور ، الکترونی را جذب می کند . اما جای الکترون جذب شده ، حفره جدیدی ایجاد می گردد و با اینکه حفره ها حرکت نمی کنند اما به نظر می رسد که آنها در حال حرکت هستند . به این ترتیب وقتی الکترونی مثلاً از راست به چپ حرکت می کند به نظر می رسد که حفره از چپ به راست در حرکت است . دقت داشته باشید که همواره جهت حرکت فرضی حفره ها در خلاف جهت حرکت الکترونها می باشد . چون تعداد الکترونهای آزاد و حفره های ایجاد شده در کریستال های سیلیسیم و ژرمانیوم در اثر انرژی گرمایی به اندازه کافی زیاد نیست این کریستال ها قابلیت هدایت الکتریکی خوبی ندارند . برای افزایش قابلیت هدایت الکتریکی این نیمه هادی ها به آنها ناخالصی اضافه می کنند . اضافه کردن ناخالصی به نیمه هادی ها به دو شکل صورت می گیرد . 1- ناخالص کردن کریستال نیمه هادی با اتم پنج ظرفیتی 2- ناخالص کردن کریستال نیمه هادی با اتم سه ظرفیتی ناخالص کردن کریستال نیمه هادی با اتم پنج ظرفیتی : در این روش عناصر پنج ظرفیتی مانند آرسنیک (As) ، آنتیموان (Sb) و یا فسفر (P) را که در لایه ظرفیت خود پنج الکترون دارند به کریستال سیلیسیم یا ژرمانیوم اضافه می کنند . به عنوان مثال در شکل (6) عنصر پنج ظرفیتی آرسنیک به کریستال سیلیسیم اضافه شده است . شکل (6) همانطور که در شکل (6) مشاهده می کنید اتم ناخالصی آرسنیک با چهار اتم سیلیسیم مجاور خود تشکیل پیوند اشتراکی می دهد و چون در لایه ظرفیت اتم آرسنیک فقط جای 8 الکترون وجود دارد یک الکترون اتم ناخالصی به راحتی از قید هسته آزاد می گردد و به صورت الکترون آزاد درمی آید . پس با افزودن هر اتم ناخالصی ، یک الکترون آزاد به وجود می آید . با تنظیم مقدار اتم ناخالصی ، تعداد الکترونهای آزاد کریستال را کنترل می کنند . علاوه بر الکترونهای آزادی که از افزودن اتم ناخالصی در کریستال به وجود می آیند تعداد کمی الکترون نیز در اثر انرژی گرمایی محیط از قید هسته آزاد می شوند و جای خالی آنها حفره ایجاد می گردد . اتم ناخالصی که به کریستال یک الکترون آزاد می دهد و خود به صورت یون مثبت درمی آید اتم اهدا کننده نام دارد . چون در این کریستال ها تعداد الکترونهای آزاد که عمل هدایت الکتریکی را انجام می دهند به مراتب بیشتر از تعداد حفره ها است به الکترونهای آزاد ، حامل های اکثریت و به حفره ها ، حامل های اقلیت می گویند . این نوع کریستال ها را که حامل های اکثریت آنها الکترون ها هستند کریستال های نوع N می نامند که N از کلمه Negative به معنی منفی گرفته شده است . زیرا در این نوع کریستال ها بار حامل های اکثریت یعنی الکترونها منفی است . البته کل کریستال از نظر بار الکتریکی خنثی است زیرا بارهای مثبت و منفی آن با هم برابرند . در شکل (7) تصویری نمادین از حامل های اکثریت و اقلیت در نیمه هادی نوع N نمایش داده شده است . در این شکل دایره های سفید رنگ ، بیانگر حفره و دایره های قرمز رنگ دنباله دار ، بیانگر الکترونهای آزاد در حال حرکت هستند . شکل (7) ناخالص کردن کریستال نیمه هادی با اتم سه ظرفیتی : هرگاه یک عنصر سه ظرفیتی مانند آلومینیوم (Al) ، گالیم (Ga) و یا ایندیم (In) را که در مدار ظرفیت خود سه الکترون دارند به کریستال سیلیسیم یا ژرمانیوم خالص اضافه کنیم الکترونهای مدار آخر عنصر ناخالصی مانند آلومینیوم با الکترونهای والانس اتم های مجاور خود تشکیل پیوند کووالانسی می دهند . به این ترتیب در مدار آخر اتم ناخالصی هفت الکترون در حال گردش هستند که در نتیجه یک جای خالی یا حفره ایجاد می شود . در شکل (7) اضافه کردن اتم ناخالصی آلومینیوم به کریستال سیلیسیم نمایش داده شده است . شکل (8) همانطور که در شکل (8) مشاهده می کنید با افزودن یک اتم سه ظرفیتی به یک کریستال نیمه هادی یک حفره ایجاد می شود . ممکن است الکترونی در اثر داشتن انرژی جنبشی کافی ، پیوند خود با الکترون دیگر را شکسته و محل این حفره را پر نماید که در این صورت حفره جدیدی در کریستال ایجاد می شود . بنابراین به ازای اضافه کردن هر اتم سه ظرفیتی به یک نیمه هادی ، مطمئناً یک حفره در آن نیمه هادی ایجاد می شود . به اتم سه ظرفیتی که قادر است یک الکترون آزاد را جذب کند اتم پذیرنده گویند . اتم پذیرنده با دریافت الکترون به صورت یون منفی درمی آید . در اثر گرمای محیط تعداد کمی الکترون نیز انرژی لازم را کسب می کنند و از هسته خود جدا می شوند و به صورت الکترون آزاد درمی آیند . بنابراین در کریستال علاوه بر تعداد زیادی حفره که حامل های اکثریت هستند ، تعداد اندکی الکترون آزاد یعنی حامل های اقلیت نیز وجود دارند . چون در این نوع کریستال ها ، حفره ها که دارای بار مثبت هستند حامل های اکثریت هستند این نوع کریستال ها را ، کریستال های نوع P می نامند که P از کلمه Positive به معنای مثبت گرفته شده است. در شکل (9) تصویری نمادین از حامل های اکثریت و اقلیت در نیمه هادی نوع P نمایش داده شده است. شکل (9)

دانلود سخنرانی استاد رائفی پور با موضوع عقلانیت

Fri, 26 Jun 2026 02:07:15 +0330

عقلانیت (سه جلسه) دانلود سخنرانی با دو کیفیت متفاوت دانلود سخنرانی استاد رائفی پور با موضوع عقلانیت در هیئت محبان الزهرا سلام الله علیها تهران - 22 الی 24 بهمن 95 دانلود با کیفیت 24kb حجم دانلود جلسه اول 9 مگابایت دانلود جلسه دوم 11 مگابایت دانلود جلسه سوم 14 مگابایت دانلود با کیفیت 80kb حجم دانلود جلسه اول 30 مگابایت دانلود جلسه دوم 40 مگابایت دانلود جلسه سوم 49 مگابایت

Neck-Strain-Exercises

Fri, 26 Jun 2026 02:07:15 +0330

تمرینات ورزشی برای گردن درمان گردن درد و تقویت عضلات گردن Do these exercises only if you do not have pain or numbness running down your arm or into your hand. Do not do any exercises that make your neck pain worse. Active neck rotation: Sit in a chair, keeping your neck, shoulders, and trunk straight. First, turn your head slowly to the right. Turn it gently until it starts hurting. Turn it back to the forward position. Relax. Then turn it to the left. Repeat in each direction 10 times. Active neck side bend: Sit in a chair, keeping your neck, shoulders, and trunk straight. Tilt your head so that your right ear moves toward your right shoulder. Keep tilting until it starts hurting. Then tilt your head in the other direction so your left ear moves toward your left shoulder. Make sure you do not rotate your head while tilting or raise your shoulder toward your head. Repeat this exercise 10 times in each direction. Neck flexion: Sit in a chair, keeping your neck, shoulders, and trunk straight. Bend your head forward, reaching your chin toward your chest. Hold for 5 seconds. Repeat 10 times. Neck extension: Sit in a chair looking ahead. Tilt your head back so that your chin is pointing toward the ceiling and then bring your head back to the starting position. Be sure to sit up straight and keep your neck, shoulders, and trunk straight during the exercise. Repeat 10 times. Chin tuck: Place your fingertips on your chin and gently push your head straight back as if you are trying to make a double chin. Keep looking forward as your head moves back. Hold 5 seconds and repeat 5 times. Scalene stretch: Sit or stand and clasp both hands behind your back. Lower your left shoulder and tilt your head toward the right until you feel a stretch. Hold this position for 15 to 30 seconds and then come back to the starting position. Then lower your right shoulder and tilt your head toward the left. Hold for 15 to 30 seconds. Repeat 3 times on each side. Isometric neck flexion: Sit tall, eyes straight ahead, and chin level. Place your palm against your forehead and gently push your forehead into your palm. Hold for 5 seconds and release. Do 3 sets of 5. Isometric neck extension: Sit tall, eyes straight ahead, and chin level. Clasp your hands together and place them behind your head. Press the back of your head into your palms. Hold 5 seconds and release. Do 3 sets of 5. Isometric neck side bend: Sit tall, eyes straight ahead, and chin level. Place the palm of your hand at the side of your temple and press your temple into the palm of your hand. Hold 5 seconds and release. Do 3 sets of 5 on each side. Head lift with neck curl: Lie on your back with your knees bent and your feet flat on the floor. Tuck your chin and lift your head about 3 inches off the floor, keeping your shoulders flat on the floor. Hold for 10 seconds. Repeat 5 times. Try to work up to holding for 20 to 30 seconds. Head lift with neck side bend: Lie on your right side with your right arm lying straight out. Rest your head on your arm, then lift your head slowly toward your left shoulder. Hold for 5 seconds. Repeat 10 times. Switch to your left side and repeat the exercise, lifting your head toward your right shoulder. Neck extension on hands and knees: Get on your hands and knees and look down at the floor. Keep your back straight and let your head slowly drop toward your chest. Then tuck your chin slightly and lift your head up until your neck is level with your back. Hold this position for 5 seconds. Repeat 10 times. Scapular squeeze: While sitting or standing with your arms by your sides, squeeze your shoulder blades together and hold for 5 seconds. Do 2 sets of 15. Source: [Summit Medical Group]

اتودسک - آزمایشگاه مجازی الکترونیک

Fri, 26 Jun 2026 02:07:15 +0330

آزمایشگاه را با خود به خانه ببرید! بهترین آزمایشگاه الکترونیک مجازی الکترونیک از مبتدی تا حرفه ای این محصول از شرکت اتودسک با استفاده از ابزارهای آنلاین بسیار ساده و رایگان به شما این امکان را می دهد تا ایده های خود را به واقعیت نزدیک کنید! آزمایشگاه الکترونیک مجازی متاسفانه قسمت ثبت نام و ورود اعضای سایت مذکور فیلتر می باشد. پیشنهاد می کنم از Hotspot Shield استفاده کنید. Download

Post Title Example Six

Fri, 26 Jun 2026 02:07:15 +0330

Lorem ipsum dolor sit amet, consectetuer adipiscing elit. Suspendisse aliquet arcu a ipsum. Nunc arcu est, pulvinar vitae, consectetuer ac, pellentesque interdum, augue. Fusce iaculis nulla et sapien. Aliquam erat volutpat. Etiam iaculis turpis nec libero. Nam adipiscing ullamcorper quam. Pellentesque erat. Sed hendrerit. Duis id nisl. Cras arcu mauris, mollis vel, convallis non, elementum a, tortor. Donec ac est eget elit consequat sollicitudin. In id odio quis tortor volutpat mollis. Nulla iaculis lobortis est. Pellentesque

Post Title Example Five

Fri, 26 Jun 2026 02:07:15 +0330

Post Title Example Four

Fri, 26 Jun 2026 02:07:15 +0330

Post Title Example Three

Fri, 26 Jun 2026 02:07:15 +0330